IPD30N06S2L-13
Active and preferred
RoHS対応

IPD30N06S2L-13

55 V, N-Ch, 13 mΩ max, Automotive MOSFET, DPAK, OptiMOS™
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IPD30N06S2L-13
IPD30N06S2L-13
個.
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Mexico, Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • ID (@25°C) (最大)
    30 A
  • IDpuls (最大)
    120 A
  • Ptot (最大)
    136 W
  • QG (typ @10V) (最大)
    69 nC
  • QG (typ @10V)
    54 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    13 mΩ
  • RthJC (最大)
    1.1 K/W
  • VDS (最大)
    55 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • パッケージ
    DPAK (PG-TO252-3)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    OptiMOS™
  • 極性
    N
  • 発売年
    2007
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IPD30N06S2L13ATMA4
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり

特長

  • N-channel-Logic Level-Enhancement mode
  • Automotive AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green package (lead free)
  • Ultra low RDS(on)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

利点

  • Lowest RDS(on) at 55V in planar tech
  • Highest current capability
  • Lowest switching and conduction losses
  • Highest thermal efficiency
  • Robust packages & superior quality
  • Optimal total gate charge
  • Smaller drivers output stages
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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