IPD029N04NF2S
Active and preferred
RoHS対応

IPD029N04NF2S

StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 40 V in DPAK package
個.
在庫あり

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IPD029N04NF2S
IPD029N04NF2S
個.

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    131 A
  • IDpuls (最大)
    524 A
  • Ptot (最大)
    107 W
  • QG (typ @10V)
    45 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    2.9 mΩ
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    2.1 V~3.4 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.35
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
OPN
IPD029N04NF2SATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 40 V features low RDS(on) of 2.9 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

特長

  • Availability from distribution partners
  • Excellent price/performance ratio
  • Ideal for high & low switching frequency
  • Industry standard footprint package
  • High current rating
  • Capable of wave-soldering

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Right-fit products
  • Supports a wide variety of applications
  • Standard pinout for drop-in replacement
  • Increased current carrying capability
  • Ease of manufacturing

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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