Active and preferred
RoHS準拠

IPD023N04NF2S

StrongIRFET™ 2 single N-channel power MOSFET 40 V in DPAK package
データシート
パッケージ

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IPD023N04NF2S
IPD023N04NF2S
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    143 A
  • IDpuls max
    572 A
  • Ptot max
    150 W
  • QG (typ @10V)
    68 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.3 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • パッケージ
    DPAK (TO-252)
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    0.44
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
推奨
OPN
IPD023N04NF2SATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 40 V features low RDS(on) of 2.3 mOhm, addressing a broad range of applications from low- to high-switching frequency.

機能

  • Availability from distribution partners
  • Excellent price/performance ratio
  • Ideal for high & low switching frequency
  • Industry standard footprint package
  • High current rating
  • Capable of wave-soldering

利点

  • Multi-vendor compatibility
  • Right-fit products
  • Supports a wide variety of applications
  • Standard pinout for drop-in replacement
  • Increased current carrying capability
  • Ease of manufacturing

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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