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IPC218N04N3
生産終了
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RoHS対応
鉛フリー

IPC218N04N3

生産終了

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IPC218N04N3
IPC218N04N3


製品仕様情報

  • EAS/Avalanche Energy
    525 mJ
  • RDS (on)
    0.9 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    50 mΩ
  • VBRDSS (最大)
    40 V
  • VDS
    40 V
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    2 V～4 V
  • ダイサイズ (-) 範囲
    3.7 mm²～5.9 mm²
  • ダイサイズ (Area)
    21.83 mm²
  • ダイサイズ (Y)
    3.7 mm
  • ダイサイズ (X)
    5.9 mm
  • モード
    Enhancement
  • 出力ドライバ
    1
  • 厚さ
    175
  • 技術
    OptiMOS™ 3
  • 極性
    N

OPN
IPC218N04N3X1SA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 Die Form
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) N/A
防湿梱包 DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
ウェハ製造国
MY

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ --
パッケージ名 Die Form
梱包サイズ 1
梱包形態 WAFER SAWN
MSL (湿度感受性レベル) -
防湿梱包 DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
ウェハ製造国
MY
New OptiMOS™ 40V and 60V, Infineon’s latest generation of power MOSFETs, is optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices are a perfect choice for a broad range of industrial applications including motor control, telecom, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.

特長

  • Optimized for synchronous rectification
  • 15% lower R than alternative devices
  • 31% FOM over similar devices
  • Integrated Schottky-like diode

利点

  • Highest system efficiency
  • Less paralleling required
  • Increased power density
  • System cost reduction
  • Very low voltage overshoot

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ