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IPB95R450PFD7

950 V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in TO-263 package
データシート
パッケージ

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IPB95R450PFD7
IPB95R450PFD7
データシート

Product details

  • ID max
    13.3 A
  • ID (@25°C) max
    13.3 A
  • IDpuls max
    43 A
  • Ptot max
    104 W
  • QG (typ @10V)
    43 nC
  • QG
    43 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    380 mΩ
  • VDS max
    950 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    D2PAK
  • 予算価格€/ 1k
    1.07
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fast recovery diode
推奨
OPN
IPB95R450PFD7ATMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The PFD7 is tailored to ultrahigh power density as well as the highest efficiency designs. The products primarily address consumer and industrial SMPS applications for PFC and LLC/LCC topologies. The 950 V CoolMOS™ PFD7 combines a 60% Qg reduction over CoolMOS™ C3 (resulting in the reduction of driving losses and improved light and full load efficiency) with a fast and robust body diode.

機能

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • better control
  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • MOSFET suits hard & resonant topologies

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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