IPB95R310PFD7
Active and preferred
RoHS対応

IPB95R310PFD7

950 V CoolMOS™ PFD7 superjunction MOSFET in TO-263 package
データシート
パッケージ
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在庫あり

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IPB95R310PFD7
IPB95R310PFD7
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (最大)
    17.5 A
  • ID (@25°C) (最大)
    17.5 A
  • IDpuls (最大)
    62 A
  • Ptot (最大)
    125 W
  • QG (typ @10V)
    61 nC
  • QG
    61 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    310 mΩ
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    310 mΩ
  • VDS (最大)
    950 V
  • VGS(th) 範囲
    2.5 V～3.5 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    D2PAK
  • 予算価格€/ 1k
    1.12
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Fast recovery diode
推奨
OPN
IPB95R310PFD7ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The PFD7 is tailored to ultrahigh power density as well as the highest efficiency designs. The products primarily address consumer and industrial SMPS applications for PFC and LLC/LCC topologies. The 950 V CoolMOS™ PFD7 combines a 60% Qg reduction over CoolMOS™ C3 (resulting in the reduction of driving losses and improved light and full load efficiency) with a fast and robust body diode.

特長

  • CoolMOS™ 7 series
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • low Qrr
  • Fieldproven CoolMOS™ quality
  • CoolMOS™ since 1998

利点

  • better control
  • higher switching frequencies
  • high efficiency @ soft switching
  • MOSFET suits hard & resonant topologies
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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