IPB60R040C7
アクティブ
RoHS対応

IPB60R040C7

CoolMOS™ C7 superjunction MOSFET offers best-in-class performance in PFC and LLC topologies
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パッケージ
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IPB60R040C7
IPB60R040C7
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (最大)
    50 A
  • ID (@25°C) (最大)
    50 A
  • IDpuls (最大)
    211 A
  • Ptot (最大)
    227 W
  • Qgd
    36 nC
  • QG
    107 nC
  • QG (typ @10V)
    107 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    40 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    40 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.55 K/W
  • Rth
    0.55 K/W
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    3 V～4 V
  • VGS(th)
    3.5 V
  • パッケージ
    D2PAK
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    4.74
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMT
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Highest performance
推奨
OPN
IPB60R040C7ATMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Infineon’s 600 V and 650 V CoolMOS™ C7 superjunction (SJ) MOSFET families are designed to achieve record-level efficiency performance, with reduced losses over the whole load range in hard-switching applications.

特長

  • Reduced switching losses
  • Excellent figure of merit QG*RDS(on)
  • Increased switching frequency
  • Best R (on)*A in the market
  • Rugged body diode

利点

  • Higher frequency with no efficiency loss
  • Extended part-load efficiency
  • 50% smaller magnetic components
  • Smaller packages for same RDS(on)
  • Used for both hard & soft switching

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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