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IPB110N20N3LF
生産終了
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RoHS対応

IPB110N20N3LF

生産終了
Combining a low RDS(on) with a wide safe operating area (SOA)
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IPB110N20N3LF
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製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    88 A
  • IDpuls (最大)
    352 A
  • Ptot (最大)
    250 W
  • Qgd
    51 nC
  • QG (typ @10V)
    76 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    11 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.5 K/W
  • Rth
    0.3 K/W
  • VDS (最大)
    200 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～4.2 V
  • VGS(th)
    3.2 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    2.95
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Wide SOA
OPN
IPB110N20N3LFATMA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
OptiMOS™ Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.

特長

  • R DS(on) and wide (SOA)
  • High max. pulse current
  • High continuous pulse current

利点

  • Rugged linear mode operation
  • Low conduction losses
  • Faster start-up with higher in-rush
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ