IPB083N15N5LF

IPB083N15N5LF

Combining a low RDS(on) with a wide safe operating area (SOA)

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPB083N15N5LF
IPB083N15N5LF


製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    105 A
  • IDpuls (最大)
    420 A
  • Ptot (最大)
    179 W
  • Qgd
    31 nC
  • QG (typ @10V)
    45 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    8.3 mΩ
  • RthJA (最大)
    62 K/W
  • RthJC (最大)
    0.7 K/W
  • Rth
    0.45 K/W
  • Special Features
    Wide SOA
  • VDS (最大)
    150 V
  • VGS(th) 範囲
    3.3 V~4.9 V
  • VGS(th)
    4.1 V
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263)
  • ピン数
    3 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    2.52
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
OptiMOS™ Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.

特長

  • R DS(on) and wide (SOA)
  • High max. pulse current
  • High continuous pulse current

利点

  • Rugged linear mode operation
  • Low conduction losses
  • Faster start-up with higher in-rush

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ