Active and preferred
RoHS準拠

IPB017N10N5LF

Combining a low RDS(on) with a wide safe operating area (SOA)
EA.
在庫あり

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IPB017N10N5LF
IPB017N10N5LF
EA.

Product details

  • ID (@25°C) max
    180 A
  • IDpuls max
    720 A
  • Ptot max
    313 W
  • Qgd
    141 nC
  • QG (typ @10V)
    195 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.7 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.4 K/W
  • Rth
    0.25 K/W
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3.3 V
  • パッケージ
    D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
  • ピン数
    7 Pins
  • 予算価格€/ 1k
    2.64
  • 動作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 実装
    SMD
  • 極性
    N
  • 特別な機能
    Wide SOA
OPN
IPB017N10N5LFATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 D2PAK 7-pin
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
OptiMOS™ Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance (R DS(on)) and linear mode capability – operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.�

機能

  • R DS(on) and wide (SOA)
  • High max. pulse current
  • High continuous pulse current

利点

  • Rugged linear mode operation
  • Low conduction losses
  • Faster start-up with higher in-rush

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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