IPA040N08NM5S

IPA040N08NM5S

OptiMOS™ 5 power MOSFET 80V in TO-220 FullPAK package (IPA040N08NM5S)
データシート

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IPA040N08NM5S
IPA040N08NM5S
データシート


製品仕様情報

  • ID (@ TC=25°C) (最大)
    75 A
  • ID (@25°C) (最大)
    75 A
  • IDpuls (最大)
    300 A
  • Ptot (最大)
    39 W
  • QG (typ @10V)
    70 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    4 mΩ
  • VDS (最大)
    80 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    TO-220 FullPAK
  • 予算価格€/ 1k
    1.28
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 極性
    N

OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon’s OptiMOS™ 5 power MOSFET 80V (IPA040N08NM5S) is meeting the requirements for improved system efficiency while reducing system costs. It has low on-state resistance RDS(on) of 4.0mOhm and low voltage overshoot. The new TO-220 FullPAK package portfolio extension is optimized for TV, desktop, adapter and gaming applications. OptiMOS™ power MOSFETs feature increased power density as well as improved efficiency and are therefore the perfect solution for synchronous rectification.

特長

  • Low voltage overshoot
  • Low on-state resistance (RDS(on))
  • No need for electrical isolation material which is normally used in TO-220 packages

利点

  • Less paralleling required
  • Generated heat is not diverted to the printed circuit board
  • Less heat generation
  • Fits TO-220 footprint

アプリケーション

ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ