IMZA75R040M1H
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IMZA75R040M1H

The CoolSiC™ MOSFET 750 V G1 is a highly robust SiC MOSFET for the best combination of system performance and reliability
データシート
パッケージ
ボード
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在庫あり

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IMZA75R040M1H
IMZA75R040M1H
個.
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) (最大)
    44 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C) (最大)
    55 mΩ
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    40 mΩ
  • VDS (最大)
    750 V
  • パッケージ
    TO247 4-pin (asymmetric leads)
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
OPN
IMZA75R040M1HXKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
The CoolSiC™ MOSFET 750 V G1 leverages more than 20 years of SiC experience in Infineon. It offers an edge in performance, reliability and robustness, with gate driving flexibility, enabling the simplified and cost effective system design for top efficiency and power density.

特長

  • Highly robust 750 V technology
  • Best-in-class RDS(on) x Qfr
  • Excellent Ron x Qoss and Ron x QG
  • Low Crss/Ciss together and high VGSth
  • 100% avalanche tested
  • Infineon die attach technology

利点

  • Superior efficiency in hard switching
  • Enables higher switching frequency
  • Higher reliability
  • Withstand bus voltages beyond 500 V
  • Robustness against parasitic turn
  • Unipolar driving
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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