Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IMYH200R100M1H

CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package
データシート
パッケージ
ボード

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IMYH200R100M1H
IMYH200R100M1H
データシート

Product details

  • Ciss
    1215 pF
  • Coss
    40 pF
  • ID (@25°C) max
    26 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    217 W
  • Qgd
    5.6 nC
  • QG
    55 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    100 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    0.69 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    2000 V
  • パッケージ
    PG-TO247-4-PLUS-NT14
  • ピン数
    4 Pins
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    THT
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMYH200R100M1HXKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 N/A
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 -
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The CoolSiC™ 2000 V 100 mΩ SiC MOSFET in TO-247PLUS-4-HCC package has been designed to offer increased power density without compromising the system’s reliability even under demanding high voltage and switching frequency conditions. The low power losses of CoolSiC™ technology provide increased reliability thanks to the .XT interconnection technology in a 2000 V optimized package, enabling top efficiency in applications such as string inverters, solar power optimizer, EV charging and energy storage systems.

機能

  • VDSS = 2000 V for high DC-link
  • Up to 1500 VDC
  • Very Low switching losses
  • Benchmark gate threshold voltage
  • VGS(th) = 4.5 V
  • Robust diode for hard commutation
  • .XT interconnection technology
  • Improved humidity robustness
  • Innovative HCC package with
  • 14 mm creepage distances
  • 5.5 mm clearance distances

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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