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IMT65R030M1H

CoolSiC™ MOSFET discrete 650 V in TOLL package
データシート
パッケージ
ボード
EA.
在庫あり

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IMT65R030M1H
IMT65R030M1H
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    142 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    30 mΩ
  • VDS max
    650 V
  • パッケージ
    TOLL
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolSiC™ G1
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMT65R030M1HXUMA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
CoolSIC™ MOSFET 650 V, 30 mΩ in TOLL package leverages the strengths of the Infineon SiC technology to enable higher density designs and higher switching frequency operations. The small form factor and low parasitic of TOLL allow for an efficient and effective usage of board space as well to drive the MOSFET at higher frequencies, reaching higher power density. CoolSIC™ MOSFET 650 V, 30 mΩ in TOLL package offering is complemented by the availability of TOLL also for CoolMOS™ and CoolGaN™, making it an appealing one stop shop option for numerous designs. The reduction of thermal impedance compared to D²PAK, together with the innovative .XT interconnect, makes the 30 mΩ product suitable for high power designs. It ideally fits the emerging Totem Pole PFC topology in high power systems, as well as high power DC-DC or AC-DC stages, with demanding power density targets.

機能

  • 1st generation CoolSiC™
  • low gate charge
  • low stored energy in COSS
  • negligable Qrr
  • flat COSS
  • flat RDS(on) over temperature

利点

  • higher efficiency in hard switching
  • higher efficiency in soft switching
  • hard commutation on body diode
  • high reliability
  • Kelvin source
  • Kelvin source

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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