Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IMT65R015M2H

CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 in TOLL package, 15 mΩ
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IMT65R015M2H
IMT65R015M2H
EA.
データシート

Product details

  • ID (@25°C) max
    131 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    14.5 mΩ
  • RthJC max
    0.28 K/W
  • VDS max
    650 V
  • パッケージ
    TOLL
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMT65R015M2HXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 TOLL
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The CoolSiC™ MOSFET 650 V Generation 2 (G2) in TOLL is a trending option to leverage a very performing technology, like CoolSiC™ G2. It overcomes the limits in thermal cycles of the conventional packages and it boats the .XT interconnect to reduce the thermal resistance. It is hence possible to fully use the characteristics of SiC, but maintaining a small footprint with a product which is the next logical step in power density.

機能

  • Excellent figures-of-merit (FOMs)
  • Best in class RDS(on)
  • Outstanding robustness
  • Flexible driving voltage range
  • Pin-to-pin compatible with all 8x8 FETs
  • Improved package interconnect with .XT
  • Tj,max=175°C
  • 12k-cycle in TCoB

利点

  • Enables BOM savings
  • Maximizes the system performance per $
  • Highest reliability and longer lifetime
  • Enables top efficiency and power density
  • Small footprint to more power density
  • Most compact daughter card design
  • Fully leverages SiC in a small footprint

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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