Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IMLT40R011M2H

CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 in TOLT (PG-HDSOP-19) package, 11 mΩ
データシート
パッケージ
ボード

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IMLT40R011M2H
IMLT40R011M2H
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    144 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    11 mΩ
  • VDS max
    400 V
  • パッケージ
    TOLT
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMLT40R011M2HXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-16
パッケージ名 TOLT
包装サイズ 1800
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The CoolSiC™ MOSFET 400 V G2 combines high robustness with ultra-low switching losses and on-state resistance while reducing overall system costs. Developed based on CoolSiC™ Generation 2 technology, this 400 V SiC MOSFET delivers outstanding power density and system efficiency in 2—and 3-level hard—and soft-switching topologies. Targeting power conversion in AI Server PSU, SMPS, motor control, renewables, energy storage, and Class-D amplifiers.

機能

  • 440 V blocking voltage
  • Lower FOMs compared to 650 V SiC MOSFETs
  • Fast commutation proof low Qfr body diode
  • Low RDS(on) temperature dependency
  • Gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V
  • Support for unipolar driving (VGSoff=0)
  • 100% avalanche tested
  • Highly controllable
  • Low Voff overshoot during high dV/dt operation
  • .XT interconnection technology

利点

  • High system efficiency
  • High power density designs
  • High design robustness
  • Reduced EMI filtering
  • Use in hard-switching topologies

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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