Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IMDQ65R007M2H

CoolSiC™ MOSFET 650 V G2 in Q-DPAK top-side cooling package, 7 mΩ
データシート
パッケージ

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IMDQ65R007M2H
IMDQ65R007M2H
データシート

製品仕様情報

  • ID (@25°C) max
    196 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    7 mΩ
  • RthJC max
    0.16 K/W
  • VDS max
    650 V
  • パッケージ
    Q-DPAK
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 実装
    SMT
  • 技術
    CoolSiC™ G2
  • 極性
    N
  • 認定
    Industrial
推奨
OPN
IMDQ65R007M2HXUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 3
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
The CoolSiC™ MOSFET 650 V Generation 2 (G2) in Q-DPAK utilizes the G2 superior switching performance, which also provides the advantages of top-side cooling. This innovation enhances the current offerings of CoolSiC™ in TOLT and CoolMOS™ in Q-DPAK packages, facilitating comprehensive system-level enhancements, including reductions in board space and BOM costs, as well as maximization of system power density.

機能

  • Excellent figures-of-merit (FOMs)
  • High robustness and overall quality
  • Flexible driving voltage range
  • Support for unipolar driving (VGS,off=0)
  • Lower thermal resistance
  • Improved package interconnect with .XT
  • Top-side cooling

利点

  • Enables BOM savings
  • Maximizes the system performance per $
  • Highest reliability
  • Enables top efficiency and power density
  • Simplifies assembly and cooling
  • Water cooling "ready"
  • Allows designs without fan or heatsink
  • Lower stray inductances
  • Better gate control

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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