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RoHS準拠
鉛フリー

IMCQ120R034M2H

CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V G2 in top-side cooled Q-DPAK package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IMCQ120R034M2H
IMCQ120R034M2H
EA.
データシート

Product details

  • Ciss
    1920 pF
  • Coss
    64 pF
  • ID (@25°C) max
    64 A
  • Ptot (@ TA=25°C) max
    326 W
  • Qgd
    10.4 nC
  • QG
    48.7 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    34 mΩ
  • RthJA max
    67 K/W
  • RthJC max
    0.46 K/W
  • Tj max
    200 °C
  • VDS max
    1200 V
  • Package
    PG-HDSOP-22
  • Pin Count
    22 Pins
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Mounting
    SMD
  • Technology
    CoolSiC™ G2
  • Polarity
    N
  • Qualification
    Industrial
推奨
OPN
IMCQ120R034M2HXTMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HDSOP-22
パッケージ名 Q-DPAK
包装サイズ 750
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
CoolSiC™ MOSFET discrete 1200 V, 34 mΩ G2 in a top-side cooled Q-DPAK package specifically designed for wide use in industrial application. The Q-DPAK package solution provides customers with an outstanding thermal performance, easier assembly and reduced system cost. The top-side cooled Q-DPAK single switch is introducing a new era in cooling, energy efficiency, design flexibility and performance.

機能

  • VDSS = 1200 V @Tvj = 25°C
  • IDDC = 45 A @TC = 100°C
  • RDS(on) = 34 mΩ @VGS = 18 V, Tvj = 25°C
  • Very low switching losses
  • Overload operation up to Tvj = 200°C
  • Short circuit withstand time 2 µs
  • Benchmark gate threshold voltage
  • Robust against parasitic turn on
  • Robust body diode for hard commutation
  • .XT interconnection technology

利点

  • Outstanding thermal performance
  • Increases energy efficiency
  • Higher power density
  • More compact and easier designs
  • Lower TCO cost or BOM cost

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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