IKZA75N65SS5
新規設計非推奨
RoHS対応
鉛フリー

IKZA75N65SS5

650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IKZA75N65SS5
IKZA75N65SS5
個.
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.42 mJ
  • Eon
    0.13 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    80 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    80 A
  • ICpuls (最大)
    300 A
  • IF (最大)
    57 A
  • IFpuls (最大)
    225 A
  • Ptot (最大)
    395 W
  • QGate
    164 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    5.6 Ω
  • td(off)
    155 ns
  • td(on)
    20 ns
  • tf
    25 ns
  • tr
    7 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • VGE(th)
    4 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™5 10-30 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    10 kHz～30 kHz
  • パッケージ
    TO-247-4
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5, Silicon Carbide Schottky Diode
OPN
IKZA75N65SS5XKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO247-4
パッケージ名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
TRENCHSTOP™ 5 S5 650 V, 75A IGBT discrete co-packed with full-rated CoolSiC™ Schottky diode G6 in kelvin-emitter TO247-4 package. The CoolSiC™ hybrid discretes enable a reduction of total switching losses and allows to increase significantly switching frequency. The kelvin-emitter TO247 4pin package provides ultra-low inductance to the gate-emitter control loop further improving switching performance especially at high switching frequencies.

特長

  • Ultra-Low switching losses
  • TRENCHSTOP™ 5 IGBT
  • CoolSiC™ diode
  • Very low on-state losses
  • Benchmark switching efficiency*
  • *in hard switching topologies
  • Simplified PCB design
  • Optimized pin-out of package
  • Pb-free plating: RoHS compliant
  • Qualified acc. to JEDEC 47/20/22
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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