Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IKW75N65EH5

データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IKW75N65EH5
IKW75N65EH5
EA.
データシート

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    0.9 mJ
  • Eon
    2.3 mJ
  • IC (@ 100°) max
    75 A
  • IC (@ 25° ) max
    90 A
  • ICpuls max
    300 A
  • IF max
    90 A
  • IFpuls max
    300 A
  • Irrm
    20.5 A
  • Ptot max
    395 W
  • QGate
    160 nC
  • Qrr
    1330 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    8 Ω
  • td(off)
    174 ns
  • td(on)
    28 ns
  • tf
    41 ns
  • tr
    33 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.35 V
  • スイッチング周波数
    30 kHz to 100 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
推奨
OPN
IKW75N65EH5XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
High Speed 650 V, hard-switching IGBT TRENCHSTOP™ 5 co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-247 package, is defined as "best-in-class" IGBT.

機能

  • 650 V breakthrough voltage
  • Compared to HighSpeed 3 family
  • Factor 2.5 lower Qg
  • Factor 2 reducedswitching losses
  • 200 mV reduction in V CE(sat)
  • Co-packed with Rapid Si-diode
  • Low COES/EOSS
  • Mild positive temp. coeff. VCEsat
  • Temperature stability of Vf

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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