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RoHS準拠
鉛フリー

IKW75N60H3

600 V IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IKW75N60H3
IKW75N60H3
EA.
データシート

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    1.7 mJ
  • Eon
    3 mJ
  • IC (@ 25° ) max
    80 A
  • IC (@ 100°) max
    75 A
  • ICpuls max
    225 A
  • IF max
    80 A
  • IFpuls max
    150 A
  • Irrm
    19 A
  • Ptot max
    428 W
  • QGate
    470 nC
  • Qrr
    1800 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    5.2 Ω
  • td(off)
    265 ns
  • td(on)
    31 ns
  • tf
    27 ns
  • tr
    60 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.85 V
  • VCE max
    600 V
  • VF
    1.65 V
  • スイッチング周波数
    20 kHz to 100 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT HighSpeed 3
推奨
OPN
IKW75N60H3FKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
High speed 600 V , 75 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT3 co-packed with free-wheeling diode in a TO-247 package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses.

機能

  • Low switching losses
  • Excellent Vce(sat)behavior
  • Fast switching behavior
  • Low EMI emissions
  • Optimized diode for:
  • Improvement in switching losses
  • Low gate resistor select. possible
  • Excellent switch.behavior (@>5 Ω)
  • Short circuit capability 5µs
  • Offering Tj(max)of 175°C
  • Packaged with & without free. diode

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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