新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

IKW40N60DTP

600 V, 40 A IGBT discrete with anti-parallel diode in TO-247 package

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IKW40N60DTP
IKW40N60DTP

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    1.05 mJ
  • Eon
    1.63 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    67 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    48 A
  • ICpuls (最大)
    120 A
  • IF (最大)
    58 A
  • IFpuls (最大)
    120 A
  • Irrm
    18.3 A
  • Ptot (最大)
    246 W
  • QGate
    177 nC
  • Qrr
    1520 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10.1 Ω
  • td(off)
    273 ns
  • td(on)
    19 ns
  • tf
    47 ns
  • tr
    30 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • VCE (最大)
    600 V
  • VF
    1.45 V
  • VGE(th) (範囲)
    4.1 V ~ 5.7 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™Performance 2-30 kHz
  • スイッチング周波数 (範囲)
    2 kHz ~ 30 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ Perf.
OPN
IKW40N60DTPXKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Hard-switching 600 V, 40 A TRENCHSTOP™ Performance IGBT with RAPID1 fast anti-parallel diode in TO-247 package combines the best trade-off between conduction and switch-off energy with outstanding robustness and excellent EMI behaviour.

特長

  • Very low VCEsat
  • Low turn-off losses
  • Short tail current
  • Low EMI
  • Maximum junction temperature 175°C

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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