新規設計は非推奨
RoHS準拠
鉛フリー

IKW40N120T2

1200 V, 40 A IGBT discrete with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
パッケージ
EA.
個の在庫あり

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IKW40N120T2
IKW40N120T2
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    3.8 mJ
  • Eon
    4.5 mJ
  • IC (@ 25° ) (最大)
    75 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    40 A
  • ICpuls (最大)
    160 A
  • IF (最大)
    75 A
  • IFpuls (最大)
    160 A
  • Irrm
    31 A
  • Ptot (最大)
    480 W
  • QGate
    192 nC
  • Qrr
    3300 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12 Ω
  • td(off)
    405 ns
  • td(on)
    32 ns
  • tf
    195 ns
  • tr
    28 ns
  • tSC
    10 µs
  • VCE(sat)
    2.3 V
  • VCE (最大)
    1200 V
  • VF
    1.75 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™2 2-20 kHz
  • スイッチング周波数 (範囲)
    2 kHz ～ 20 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 2
OPN
IKW40N120T2FKSA1
製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー No
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 個の在庫あり

製品ステータス not for new design
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
Hard-switching 1200 V, 40 A TRENCHSTOP™ IGBT4 co-packed with free-wheeling diode in a TO-247 package, provides significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

特長

  • Lowest VCEsatdrop
  • Low switching losses
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Easy parallel switching capability
  • Very soft, fast recovery diode
  • High ruggedness
  • Temperature stable behavior
  • Low EMI emissions
  • Low gate charge
  • Very tight parameter distribution

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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