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RoHS準拠
鉛フリー

IKW40N120CS6

1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
パッケージ

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IKW40N120CS6
IKW40N120CS6
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    1.55 mJ
  • Eon
    2.55 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    40 A
  • IC (@ 25°) (最大)
    80 A
  • ICpuls (最大)
    160 A
  • IF (最大)
    80 A
  • IFpuls (最大)
    160 A
  • Irrm
    18 A
  • Ptot (最大)
    500 W
  • QGate
    285 nC
  • Qrr
    2.65 µC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    9 Ω
  • td(off)
    315 ns
  • td(on)
    27 ns
  • tf
    27 ns
  • tr
    39 ns
  • tSC
    3 µs
  • VCE(sat)
    1.85 V
  • VCE (最大)
    1200 V
  • VF
    2.2 V
  • スイッチング周波数 (範囲)
    10 kHz ～ 50 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    TRENCHSTOP™ IGBT6
推奨
OPN
IKW40N120CS6XKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Hard-switching 1200 V, 40 A high speed TRENCHSTOP™ IGBT6 in a TO-247 package co-packed with a soft and fast recovery full current anti-parallel diode is designed to reach the best compromise between switching and conduction losses.

特長

  • High efficient hard switching
  • High efficient resonant topologies
  • Easy paralleling capability
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Low EMI
  • Low gate charge QG
  • Very soft, fast recovery diode
  • High ruggedness
  • Temperature stable behavior
  • Very tight parameter distribution
  • Low saturation voltage*
  • *if 1.85 V and Low switching losses

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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