Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IKW25N120CS7

1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
EA.
在庫あり

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IKW25N120CS7
IKW25N120CS7
EA.

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    2.35 mJ
  • Eon
    1.85 mJ
  • IC (@ 25°) max
    55 A
  • IC (@ 100°) max
    37 A
  • ICpuls max
    75 A
  • IF max
    41 A
  • IFpuls max
    75 A
  • Irrm
    33.5 A
  • Ptot max
    250 W
  • QGate
    150 nC
  • Qrr
    3600 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    6 Ω
  • td(off)
    240 ns
  • td(on)
    21 ns
  • tf
    250 ns
  • tr
    17 ns
  • tSC
    8 µs
  • VCE(sat)
    2 V
  • VCE max
    1200 V
  • VF
    1.6 V
  • VGE(th)
    5.7 V
  • スイッチング周波数
    2 kHz to 20 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    TRENCHSTOP™ IGBT7
OPN
IKW25N120CS7XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Hard-switching 1200 V, 25 A TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 discrete in TO-247 package with EC7 diode inside. It offers low VCEsat to achieve very low conduction losses in target applications and the co-packed very soft and fast emitter controlled diode helps to minimize switching losses contibuiting to overall low total losses.

機能

  • Very Low VCEsat
  • Good controllability
  • Full rated free wheeling diode
  • Diode with improved softness
  • Robustness against harsh condition
  • Robustness against HV-H3TRB
  • 8 us short circuit time
  • Very tight parameter distribution
  • Maximum operating Tj of 175 °C

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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