IKQ75N120CS7
Active and preferred
RoHS対応
鉛フリー

IKQ75N120CS7

1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
個.
在庫あり

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IKQ75N120CS7
IKQ75N120CS7
個.

製品仕様情報

  • Eoff
    6.48 mJ
  • Eon
    7.32 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    103 A
  • IC (@ 25°) (最大)
    154 A
  • ICpuls (最大)
    225 A
  • IF (最大)
    83 A
  • IFpuls (最大)
    225 A
  • Irrm
    61 A
  • Ptot (最大)
    674 W
  • QGate
    450 nC
  • Qrr
    10900 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    2.1 Ω
  • td(off)
    253 ns
  • td(on)
    36 ns
  • tf
    230 ns
  • tr
    26 ns
  • tSC
    8 µs
  • VCE(sat)
    2 V
  • VCE (最大)
    1200 V
  • VF
    1.6 V
  • VGE(th)
    5.7 V
  • スイッチング周波数 範囲
    2 kHz~20 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3-PLUS
  • 技術
    TRENCHSTOP™ IGBT7
OPN
IKQ75N120CS7XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 -
梱包サイズ 240
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Hard-switching 1200 V, 75 A TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 discrete in TO-247 package with EC7 diode inside. It offers low VCEsat to achieve very low conduction losses in target applications and the co-packed very soft and fast emitter controlled diode helps to minimize switching losses contibuiting to overall low total losses.

特長

  • Very Low VCEsat
  • Good controllability
  • Full rated free wheeling diode
  • Diode with improved softness
  • Robustness against harsh condition
  • Robustness against HV-H3TRB
  • 8 us short circuit time
  • Very tight parameter distribution
  • Maximum operating Tj of 175 °C
ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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