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生産終了
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RoHS準拠
鉛フリー

IKP20N65H5

生産終了
650 V, 20 A IGBT with anti-parallel diode in TO-220 package
データシート
パッケージ

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IKP20N65H5
IKP20N65H5
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.06 mJ
  • Eon
    0.17 mJ
  • IC (@ 100°) max
    21 A
  • IC (@ 25° ) max
    42 A
  • ICpuls max
    60 A
  • IF max
    20 A
  • IFpuls max
    60 A
  • Irrm
    10.04 A
  • Ptot max
    125 W
  • QGate
    48 nC
  • Qrr
    270 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    32 Ω
  • td(off)
    168 ns
  • td(on)
    16 ns
  • tf
    36 ns
  • tr
    3 ns
  • VCE(sat)
    1.65 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.65 V
  • スイッチング周波数
    30 kHz to 100 kHz
  • パッケージ
    TO-220-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5
OPN
IKP20N65H5XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオンパッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
包装サイズ 500
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
High Speed 650 V , 20 A hard-switching IGBT TRENCHSTOP™5 co-packed with RAPID 1 fast and soft anti-parallel diode in a TO-220 package, is defined as "best-in-class" IGBT.

機能

  • 650 V breakthrough voltage
  • Compared to our HighSpeed 3 family
  • Factor 2.5 lower Qg
  • Factor 2 reduced switching losses
  • 200 mV reduced VCE(sat)
  • Co-packed with rapid Si-diode
  • Low COES/EOSS
  • Mild pos. temp. coeffi. VCE(sat)
  • Temperature stability of Vf

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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