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IKP20N60H3
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

IKP20N60H3

生産終了
データシート
パッケージ
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IKP20N60H3
IKP20N60H3
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.24 mJ
  • Eon
    0.45 mJ
  • IC (@ 25° ) (最大)
    40 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    20 A
  • ICpuls (最大)
    80 A
  • IF (最大)
    20 A
  • IFpuls (最大)
    80 A
  • Irrm
    11 A
  • Ptot (最大)
    170 W
  • QGate
    120 nC
  • Qrr
    390 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    14.6 Ω
  • td(off)
    194 ns
  • td(on)
    16 ns
  • tf
    11 ns
  • tr
    20 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.95 V
  • VCE (最大)
    600 V
  • VF
    1.65 V
  • スイッチング周波数
    HighSpeed3 20-100 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    20 kHz～100 kHz
  • パッケージ
    TO-220-3
  • 技術
    IGBT HighSpeed 3
OPN
IKP20N60H3XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
High speed 600 V, 20 A hard-switching TRENCHSTOP™ IGBT3 co-packed with free-wheeling diode in a TO220 package provides the best compromise between switching and conduction losses. The key feature of this family is a MOSFET-like turn-off switching behavior, leading to low turn off losses.

特長

  • Low switching losses
  • Excellent Vce(sat)behavior
  • Fast switching behavior with Low EMI
  • Optimized diode for target applica.
  • Low gate resistor selection possible
  • Excellent switching behaviour
  • Short circuit capability 5µs
  • Offering Tj(max)of 175°C
  • Packaged with & without free. diode

利点

  • Low switching and conduction losses
  • Very good EMI behavior
  • Best-in-class 1200V IGBT efficiency
  • High current density
  • Best-in-class EMI behavior

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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