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IKP10N60T
生産終了
生産終了
RoHS対応
鉛フリー

IKP10N60T

生産終了
600 V, 10 A IGBT discrete with anti-parallel diode in TO220 package
データシート
パッケージ

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IKP10N60T
IKP10N60T
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.27 mJ
  • Eon
    0.16 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    18 A
  • IC (@ 25° ) (最大)
    24 A
  • ICpuls (最大)
    30 A
  • IF (最大)
    24 A
  • IFpuls (最大)
    30 A
  • Irrm
    10 A
  • Ptot (最大)
    110 W
  • QGate
    67 nC
  • Qrr
    380 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    23 Ω
  • td(off)
    215 ns
  • td(on)
    12 ns
  • tf
    38 ns
  • tr
    8 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE (最大)
    600 V
  • VF
    1.6 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™ 2-20 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    2 kHz～20 kHz
  • ソフト スイッチング
    No
  • パッケージ
    TO-220-3
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™
OPN
IKP10N60TXKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-TO220-3
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Hard-switching 600 V, 10 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO220 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

特長

  • Lowest VCEsatdrop
  • Low switching losses
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Easy parallel switching capability
  • Very soft anti-parallel Diode
  • High ruggedness
  • Temperature stable behavior
  • Low EMI emissions
  • Low gate charge
  • Very tight parameter distribution

利点

  • Highest efficiency
  • Comprehensive portfolio
  • High device reliability
  • low conduction and switching losses
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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