IKB40N65EF5
新規設計非推奨
RoHS対応

IKB40N65EF5

650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO263 package
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IKB40N65EF5
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製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.1 mJ
  • Eon
    0.42 mJ
  • IC (@ 25°) (最大)
    74 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    46 A
  • ICpuls (最大)
    120 A
  • IF (最大)
    46 A
  • IFpuls (最大)
    160 A
  • Irrm
    14.5 A
  • Ptot (最大)
    250 W
  • QGate
    95 nC
  • Qrr
    0.93 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    15 Ω
  • td(off)
    154 ns
  • td(on)
    19 ns
  • tf
    58 ns
  • tr
    37 ns
  • VCE(sat)
    1.6 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VF
    1.45 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™ 5 40kHz-100kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    70 kHz～120 kHz
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263-3)
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™ 5

OPN
IKB40N65EF5ATMA1
製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
DE
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製品ステータス not for new design
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
DE
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Hard-switching 650 V, 40 A TRENCHSTOP™ 5 high speed IGBT in D2Pak (TO263) package copacked with full rated current Rapid 1 fast and soft anti parallel diode, redefines “Best-in-class” IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. This family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market’s high efficiency demands of tomorrow.

特長

  • 650 V breakthrough voltage
  • Low Qg
  • Reduced switching losses
  • 200 mV reduction in VCEsat
  • Co-packed with Rapid Si-diode
  • Low COES/EOSS
  • Mild positive temp. coeffi. VCEsat
  • Temperature stability of Vf
ドキュメント

設計リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ