IKB20N60T
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IKB20N60T

600 V, 20 A IGBT discrete with anti-parallel diode in TO263 package
データシート
パッケージ
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在庫あり

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IKB20N60T
IKB20N60T
個.
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.46 mJ
  • Eon
    0.31 mJ
  • IC (@ 25° ) (最大)
    30 A
  • IC (@ 100°) (最大)
    15 A
  • ICpuls (最大)
    60 A
  • IF (最大)
    30 A
  • IFpuls (最大)
    45 A
  • Irrm
    10.4 A
  • Ptot (最大)
    166 W
  • QGate
    120 nC
  • Qrr
    310 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    12 Ω
  • td(off)
    199 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    42 ns
  • tr
    14 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE (最大)
    600 V
  • VF
    1.65 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™ 2-20 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    2 kHz～20 kHz
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263-3)
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™
推奨
OPN
IKB20N60TATMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
梱包サイズ 1000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Hard-switching 600 V, 20 A TRENCHSTOP™ IGBT3 copacked with full-rated free-wheeling diode in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

特長

  • Lowest VCEsatdrop
  • Low switching losses
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Easy parallel switching capability
  • Very softrolled Diode
  • High ruggedness
  • Temperature stable behavior
  • Low EMI emissions
  • Low gate charge
  • Very tight parameter distribution

利点

  • Highest efficiency
  • Comprehensive portfolio
  • High device reliability
  • low conduction and switching losses
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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