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IHW50N65R5

650 V, 50 A IGBT Discretes with anti-parallel diode in TO-247 package
データシート
パッケージ

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IHW50N65R5
IHW50N65R5
データシート

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    0.45 mJ
  • Eon
    1.5 mJ
  • IC (@ 25° ) max
    80 A
  • IC (@ 100°) max
    50 A
  • ICpuls max
    150 A
  • IF max
    37 A
  • IFpuls max
    150 A
  • Irrm
    37 A
  • Ptot max
    282 W
  • QGate
    230 nC
  • Qrr
    2750 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    8 Ω
  • td(off)
    210 ns
  • td(on)
    30 ns
  • tf
    8 ns
  • tr
    20 ns
  • VCE(sat)
    1.35 V
  • VCE max
    650 V
  • VF
    1.7 V
  • スイッチング周波数
    20 kHz to 150 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT RC Soft Switching
推奨
OPN
IHW50N65R5XKSA1
製品ステータス active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO247-3
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Reverse Conducting R5-H5 650 V, 50 A IGBT discrete with monolithically integrated diode in TO247 package for soft switching applications and for designs which require some hard switching capabilities. The RC-H5 IGBT complement the previous generation of reverse conduction IGBTs and extend the performance leadership of the RC-H family, focusing on system efficiency and reliability.

機能

  • Lowest VCE(sat)and optimized Eoff
  • Loss reduction up to 30%
  • 650 V blocking voltage
  • Hard switching capable

利点

  • Best-in-class efficiency
  • increased reliability
  • For designs with fsw up to 40 kHz
  • lower junction and case temperature

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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