Active and preferred
RoHS準拠
鉛フリー

IHW40N65R6

650 V, 40 A IGBT with monolithically integrated diode in TO-247 package
EA.
個の在庫あり

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IHW40N65R6
IHW40N65R6
EA.

製品仕様情報

  • Eoff (Soft Switching)
    0.18 mJ
  • Eoff (Hard Switching)
    0.42 mJ
  • Eon
    1.1 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    54 A
  • IC (@ 25°) (最大)
    83 A
  • ICpuls (最大)
    120 A
  • IF (最大)
    35 A
  • IFpuls (最大)
    120 A
  • Irrm
    35 A
  • Ptot (最大)
    210 W
  • QGate
    159 nC
  • Qrr
    2160 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    10 Ω
  • td(off)
    211 ns
  • td(on)
    17 ns
  • tf
    15 ns
  • tr
    19 ns
  • VCE(sat)
    1.29 V
  • VCE (最大)
    650 V
  • VF
    1.5 V
  • スイッチング周波数
    RC-H6 Series 20-150 kHz
  • スイッチング周波数 (範囲)
    20 kHz ~ 75 kHz
  • パッケージ
    TO-247-3
  • 技術
    IGBT RC Soft Switching
OPN
IHW40N65R6XKSA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
EA. 個の在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
パッケージ名 TO247
包装サイズ 240
包装形態 TUBE
水分レベル NA
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
個の在庫あり
Reverse Conducting R6 650 V, 40 A IGBT in TO-247 package with monolithically integrated diode is designed to fulfill demanding requirements of induction heating applications using half-bridge resonant topology.Thanks to best system performances and high compatibility with existing gate driver solution, 650 V R6 IGBT represents the optimal choice for soft switching topologies.

特長

  • Very Low VCEsat & low Eoff
  • High ruggedness
  • Stable temperature behavior
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Easy parallel switching capability
  • Frequency range 20-75 kHz
  • Low EMI
  • Very tight parameter distribution
  • Maximum operating TJof 175 °C

利点

  • Lowest losses on IGBT
  • replacement of predecessor R5
  • High device reliability
  • Good EMI behaviour
  • high system efficiency
  • higher power output

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ

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