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IGT60R070D1
生産終了
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IGT60R070D1

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Gallium nitride CoolGaN™ 600V e-mode power transistor IGT60R070D1 for ultimate efficiency and reliability
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IGT60R070D1
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データシート

製品仕様情報

  • ID (@ TA=25°C) (最大)
    31 A
  • IDpuls (@25°C) (最大)
    60 A
  • Ptot (最大)
    125 W
  • QG
    5.8 nC
  • RDS (on) (typ)
    55 mΩ
  • VBRDSS (最大)
    600 V
  • VDS (最大)
    600 V
  • VGS(th) 範囲
    0.9 V～1.6 V
  • VGS(th)
    1.2 V
  • パッケージ
    PG-HSOF-8-3
  • 環境規制対応
    RoHS compliant, Halogen free
  • 製品名
    IGT60R070D1
  • 言語
    SPICE
  • 認定
    Industrial
OPN
IGT60R070D1ATMA4
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 N/A
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
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製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
PG-HSOF-8
パッケージ名 -
梱包サイズ 2000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The IGT60R070D1 enables a more compact topology and higher efficiency at higher frequency operation. It is certified through an extensive GaN-specific qualification process, exceeding industry standards. Housed in the bottom-side cooled HSOF-8 (TO-leadless) package, it is designed for optimal power dissipation required in modern data centers, server , telecom , renewables and numerous other applications.

特長

  • E-mode HEMT – normally OFF
  • Ultrafast switching
  • No reverse-recovery charge
  • Capable of reverse conduction
  • Low gate charge, low output charge
  • Superior commutation ruggedness
  • JEDEC qualified (JESD47, JESD22)
  • Low dynamic RDS(on)
  • Bottom-side cooled

利点

  • Improves system efficiency
  • Improves power density
  • Enables higher operating frequency
  • System cost reduction savings
  • Reduces EMI
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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