IGD06N60T
アクティブ
RoHS対応

IGD06N60T

600 V, 6 A IGBT Discrete in TO252 package
データシート
パッケージ
個.
在庫あり

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IGD06N60T
IGD06N60T
個.
データシート

製品仕様情報

  • Eoff (Hard Switching)
    0.11 mJ
  • Eon
    0.09 mJ
  • IC (@ 100°) (最大)
    6 A
  • IC (@ 25°) (最大)
    12 A
  • ICpuls (最大)
    18 A
  • Ptot (最大)
    88 W
  • QGate
    42 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    23 Ω
  • td(off)
    130 ns
  • td(on)
    9 ns
  • tf
    6 ns
  • tr
    6 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE (最大)
    600 V
  • スイッチング周波数
    TRENCHSTOP™ 2-20 kHz
  • スイッチング周波数 範囲
    2 kHz～20 kHz
  • ソフト スイッチング
    No
  • パッケージ
    DPAK (TO-252-3)
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™
推奨
OPN
IGD06N60TATMA1
製品ステータス active
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:
 個. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TO252-3
パッケージ名 DPAK
梱包サイズ 2500
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
個.
在庫あり
Hard-switching 600 V, 6 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO252 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

特長

  • Lowest VCEsatdrop
  • Low switching losses
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Easy parallel switching capability
  • Very soft anti-parallel diode
  • Low gate resistor select. possible
  • Excellent switching behaviour
  • Low EMI emissions
  • Low gate charge
  • Very tight parameter distribution

利点

  • Highest efficiency
  • Comprehensive portfolio
  • High device reliability
  • low conduction and switching losses
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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