Active and preferred
RoHS準拠

IGB15N60T

600 V, 15 A IGBT Discrete in TO263 package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IGB15N60T
IGB15N60T
EA.
データシート

Product details

  • Eoff (Hard Switching)
    0.35 mJ
  • Eon
    0.22 mJ
  • IC (@ 100°) max
    23 A
  • IC (@ 25°) max
    26 A
  • ICpuls max
    45 A
  • Ptot max
    130 W
  • QGate
    87 nC
  • RGint
    0 Ω
  • RG
    15 Ω
  • td(off)
    188 ns
  • td(on)
    17 ns
  • tf
    50 ns
  • tr
    11 ns
  • tSC
    5 µs
  • VCE(sat)
    1.5 V
  • VCE max
    600 V
  • スイッチング周波数
    2 kHz to 20 kHz
  • パッケージ
    D2PAK (TO-263-3)
  • 技術
    IGBT TRENCHSTOP™
推奨
OPN
IGB15N60TATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Hard-switching 600 V, 15 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO263 D2Pak package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.

機能

  • Lowest VCEsatdrop
  • Low switching losses
  • Positive temp. coeffi. in VCEsat
  • Easy parallel switching capability
  • Very softrolled Diode
  • High ruggedness
  • Temperature stable behavior
  • Low EMI emissions
  • Low gate charge
  • Very tight parameter distribution

利点

  • Highest efficiency
  • Comprehensive portfolio
  • High device reliability
  • low conduction and switching losses

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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