Active and preferred
RoHS準拠

IGB03N120S7

1200 V, 3 A IGBT7 S7 in TO-263-3pin package
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IGB03N120S7
IGB03N120S7
EA.
データシート

Product details

  • Eoff
    0.27 mJ
  • Eon
    0.29 mJ
  • IC (@ 25°) max
    9 A
  • IC (@ 100°) max
    5 A
  • ICpuls max
    9 A
  • Ptot max
    37 W
  • QGate
    24 nC
  • td(off)
    142 ns
  • td(on)
    18 ns
  • tf
    272 ns
  • tr
    18 ns
  • tSC
    8 µs
  • VCE(sat)
    2 V
  • VCE max
    1200 V
  • VGE(th)
    5.7 V
  • スイッチング周波数
    2 kHz to 20 kHz
  • パッケージ
    PG-TO263-3
  • 技術
    TRENCHSTOP™ IGBT7
推奨
OPN
IGB03N120S7ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TO263-3
パッケージ名 D2PAK
包装サイズ 1000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Hard-switching 1200 V, 3 A single TRENCHSTOP™ IGBT7 S7 discrete in TO-263 package which offers low VCEsat to achieve very low conduction losses in target applications.

機能

  • VCE = 1200 V
  • IC = 3 A
  • Low VCEsat = 2 V at Tvj = 150°C
  • Short circuit ruggedness 8 µs
  • Wide range of dv/dt controllability

利点

  • Compact design for high volt. aux-supply
  • Reduced EMI min e-magnetic interference

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "コミュニティに質問する", "labelEn" : "コミュニティに質問する" }, { "link" : "https://community.infineon.com/", "label" : "すべてのディスカッションを表示", "labelEn" : "すべてのディスカッションを表示" } ] }