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IDP18E120
生産終了
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RoHS対応
鉛フリー

IDP18E120

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製品仕様情報

  • I(FSM) (最大)
    78 A
  • IF (最大)
    31 A
  • IF
    18 A
  • IR (最大)
    100 µA
  • Irrm
    20.2 A
  • Ptot (最大)
    113 W
  • Qrr
    1880 nC
  • RthJC (最大)
    1.1 K/W
  • trr
    195 ns
  • VF (最大)
    1.65 V
  • VF
    1.65 V
  • コンフィギュレーション
    Single
  • パッケージ
    TO-220
  • 動作温度 範囲
    -55 °C~150 °C
  • 実装
    THT
  • 電圧クラス (最大)
    1200 V

OPN
IDP18E120XKSA1
製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー Yes
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
組立国
MY
ウェハ製造国
MY

製品ステータス discontinued
インフィニオン パッケージ
パッケージ名 TO220
梱包サイズ 500
梱包形態 TUBE
MSL (湿度感受性レベル) NA
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
組立国
MY
ウェハ製造国
MY
The 1200 V, 18 A emitter controlled silicon power diode in a TO-220 Real 2-leg package displays excellent softness and VF behaviour and is qualified with a Tj(max) of 150°C. The diodes are also available halogen-free according to IEC61249-2-21.

特長

  • Lowest VF values
  • Softest diodes avail. on the market
  • Tj(max) of 175°C
  • Qualified according to JEDEC
  • Cooler packages & higher efficiency
  • Excellent EMI behavior
  • Excellent cost/perform. trade-off
  • Low conduction losses
  • Easy paralleling
ドキュメント

設計リソース

開発者コミュニティ