IDC73D120T6H

データシート

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IDC73D120T6H
IDC73D120T6H
データシート

Product details

  • I(FSM) max
    300 A
  • IF max
    150 A
  • IR max
    26 µA
  • VDS max
    1200 V
  • VF
    1.9 V
  • 技術
    Emitter Controlled Diode 4 High Power
OPN
製品ステータス
インフィニオンパッケージ
パッケージ名
包装サイズ
包装形態
水分レベル
モイスチャーパッキン
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Infineon stock last updated:
Emitter Controlled Diode is Infineon's unique Fast Recovery Diode technology. The ultrathin wafer and Fieldstop technology makes the Emitter Controlled Diode ideally suited for consumer and industry applications as it lowers the turn-on losses of the IGBT with soft recovery. The Emitter Controlled Diode is optimized for Infineon IGBT technology.

機能

  • 1200 V Emitter Controlled Diode 4
  • Soft, fast switching
  • Low reverse recovery charge
  • Small temperature coefficient

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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