IDC52D120Y8DA
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RoHS対応

IDC52D120Y8DA

インフィニオンの最先端Si IGBT技術のパワーを解き放つ

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IDC52D120Y8DA
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製品仕様情報

  • IFn
    230 A
  • VRRM
    1200 V
  • 技術
    EDT3
OPN
製品ステータス
インフィニオン パッケージ
パッケージ名
梱包サイズ
梱包形態
MSL (湿度感受性レベル)
防湿梱包
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
Infineon stock last updated:
当社の最新のEDT3デバイスは、1200 Vクラスに対応し、低コストかつ高性能な車両のメイン インバーター用途向けに、前例のない出力電流を実現します。特定のアプリケーション要件に合わせたカスタム パワー モジュールを設計および製造できるインフィニオンのSi IGBT & Diodeソリューションは、自動車市場を変革し、性能、効率、信頼性を新たな水準へ引き上げます。

特長

  • 1200 Vエミッター制御ダイオード技術
  • ソフトかつ高速なスイッチング
  • 低リカバリ電荷
  • 低温度係数
  • はんだ付け/焼結可能な表面パッド
  • 最大接合部温度: 185 ℃

利点

  • 車載要件に最適
  • カスタマイズ開発 (要望に応じて)
  • 最大25%高い出力電流密度
  • 損失低減と最大Tvjの向上
  • モジュール小型化によるコストメリット
  • システムレベルでアンペア(A)あたりのコストが低い
  • 並列化の工数とコストを削減
  • 高い信頼性と品質
  • ドロップイン置換
  • シンプルなゲートドライブ設計

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

開発者コミュニティ