IAUZN04S7N013
Active and preferred
RoHS対応

IAUZN04S7N013

40 V, N-Ch, 1.33 mΩ, Automotive Power MOSFET, S3O8 (3x3), OptiMOS™ 7
データシート
パッケージ

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IAUZN04S7N013
IAUZN04S7N013
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria
  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) (最大)
    60 A
  • QG (typ @10V) (最大)
    48 nC
  • QG (typ @10V)
    37 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.33 mΩ
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    2.2 V～3 V
  • VGS(th)
    2.6 V
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    OptiMOS™7
  • 極性
    N
  • 発売年
    2024
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUZN04S7N013ATMA2
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 S3O8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 S3O8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
A high-current, low RDS(on) power MOSFET in a 3x3mm² advanced leadless package with a Cu-Clip for low package Ron and minimal stray inductance, offering high power density, low conduction losses, and optimized switching behavior, with a reduced form factor compared to traditional leaded packages, ideal for automotive applications, e.g. power distribution, body control modules, and electric motors.

特長

  • 3x3 mm² small footprint
  • 60 A high current capability
  • Available in leading-edge OptiMOS™ 7 40V
  • RDS(on) range 1.2 mΩ – 4.9 mΩ
  • Advanced leadless package
  • High avalanche capability
  • SOA ruggedness
  • PPAP Capable Device

利点

  • Highest power and current density
  • High thermal capacity lead-frame package
  • Reduced conduction losses
  • Optimized switching behavior
  • Reduced form factor vs traditional packages
  • JEDEC Industry standard package

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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