新規
Active and preferred
RoHS準拠

IAUZN04S7L012

新規
40 V, N-Ch, 1.25 mΩ, Automotive Power MOSFET, S3O8 (3x3), OptiMOS™ 7
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IAUZN04S7L012
IAUZN04S7L012
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) max
    60 A
  • QG (typ @10V)
    42 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.25 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    1.5 V
  • パッケージ
    S3O8
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™-7
  • 極性
    N
  • 発売年
    2025
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUZN04S7L012ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 S3O8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TSDSON-8
パッケージ名 S3O8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
A high-current, low RDS(on) power MOSFET in a 3x3mm² advanced leadless package with a Cu-clip for low package Ron and minimal stray inductance, offering high power density, low conduction losses and optimized switching behavior, with a reduced form factor compared to traditional leaded packages, ideal for Automotive applications, e.g. power distribution, body control modules and electric motors.

機能

  • 3x3 mm² small footprint
  • 60A high current capability
  • Advanced leadless package
  • Leading-edge OptiMOS™-7 40V technology
  • RDS(on) range: 1.2 mΩ – 4.9 mΩ
  • Cu-clip for low RDS(on) & low inductance
  • High avalanche capability
  • High SOA ruggedness
  • PPAP capable device

利点

  • Highest power and current density
  • High thermal capacity lead-frame package
  • Reduced conduction losses
  • Optimized switching behavior
  • Reduced form factor vs. leaded packages
  • JEDEC Industry std. package PG-TSDSON-8

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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