Active and preferred
RoHS準拠

IAUMN10S5N017G

100 V, N-Ch, 1.7 mΩ max, Automotive MOSFET, mTOLG (8x8), OptiMOS™ 5
データシート
パッケージ

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IAUMN10S5N017G
IAUMN10S5N017G
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) max
    200 A
  • QG (typ @10V)
    131 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.7 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    3 V
  • パッケージ
    PG-HSOG-4
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™-5
  • 極性
    N
  • 発売年
    2024
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUMN10S5N017GAUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HSOG-4
パッケージ名 mTOLG
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOG-4
パッケージ名 mTOLG
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
OptiMOS™ 5 100V automotive MOSFET offered in our new mTOLG 8x8mm2 SMD package. It is designed specifically for high performance, high quality and the robustness needed for demanding automotive applications. This mTOLG package MOSFETs is recommended for aluminum (Al) core IMS and copper (Cu) based metal substrates because of its enhanced TCoB performance.

機能

  • Gullwing shaped leads
  • Compatible with other 8x8mm2 packages
  • Leading edge RDS(on)
  • Fast switching times (turn on/off)
  • Extended qualification beyond AEC-Q101
  • Enhanced electrical testing
  • 175°C operating temperature
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

利点

  • Enhanced temperature cycling results
  • Recommended for metal substrates
  • Minimized conduction losses
  • Excellent switching performance
  • High power density
  • Option to use second source of 8x8mm2
  • Designed for automotive robustness
  • High quality production for automotive

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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