Active and preferred
RoHS準拠

IAUMN04S7N011G

40 V, N-Ch, 1.14 mΩ, Automotive Power MOSFET, mTOLG (8x8), OptiMOS™ 7
データシート
パッケージ

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IAUMN04S7N011G
IAUMN04S7N011G
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria
  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) max
    150 A
  • QG (typ @10V)
    52 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.14 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    2.6 V
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™7
  • 極性
    N
  • 発売年
    2024
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUMN04S7N011GAUMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-HSOG-4
パッケージ名 mTOLG
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-HSOG-4
パッケージ名 mTOLG
包装サイズ 2000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 2
モイスチャーパッキン DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
IAUMN04S7N011G is a high-performance, N-channel OptiMOS™ automotive power MOSFET. With an extended qualification beyond AEC-Q101, enhanced electrical testing, and a robust design, this device ensures reliable operation in harsh environments. Operating temperatures range from -55 to 175°C, MSL2 up to 260°C peak reflow, and 100% avalanche testing make it ideal for demaning automotive applications.

機能

  • Low RDS(on) in 8x8 mm2
  • High avalanche capability
  • High SOA ruggedness
  • Fast switching times (on/off)
  • Leadless packages with Cu-Clip
  • Thin wafer Cu-technology
  • 300 mm in-house production
  • Gullwing package with long leads
  • PPAP Capable Device

利点

  • High power density in 8x8
  • Increased current capability
  • Improved design ruggedness
  • Good switching performance
  • Efficient cooling in 8x8m mm2
  • Automotive quality package
  • Automotive quality production
  • High TCOB performance on IMS

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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