Active and preferred
RoHS準拠

IAUCN10S5L094D

100 V, N-Ch, 9.4 mΩ max, Automotive MOSFET, Dual SSO8 (5x6), OptiMOS™ 5
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IAUCN10S5L094D
IAUCN10S5L094D
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) max
    60 A
  • QG (typ @10V) max
    30 nC
  • QG (typ @10V)
    23 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    9.4 mΩ
  • VDS max
    100 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • パッケージ
    dual SS08 (PG-TDSON-8)
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™-5
  • 極性
    N+N
  • 発売年
    2024
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUCN10S5L094DATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
OptiMOS™ 5 100V automotive dual MOSFET offered in our reliable, dual SSO8 5x6mm2 SMD package. It features two independent MOSFETs integrated in one package for PCB area savings. It is designed specifically for high performance, high quality and the robustness needed for demanding automotive applications.

機能

  • RDS(on) reduced > 50% from prior best
  • Industry’s best RDS(on)
  • 60A current rating; +200% from prior
  • Fast switching times (turn on/off)
  • Extended qualification beyond AEC-Q101
  • Enhanced electrical testing
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

利点

  • Minimized conduction losses
  • Superior switching performance
  • High power density in 5x6mm package
  • Integration; two MOSFETs in a package
  • Integration; less SMD assembly time
  • PCB layout flexibility
  • Designed for Automotive robustness
  • High quality production for Automotive

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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