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RoHS準拠

IAUCN08S7N019

80 V, N-Ch, 1.9 mΩ max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS™ 7
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IAUCN08S7N019
IAUCN08S7N019
EA.
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) max
    175 A
  • QG (typ @10V)
    63 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.9 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • Package
    PG-TDSON-8
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Technology
    OptiMOS™-7
  • Polarity
    N
  • Launch year
    2024
  • Qualification
    Automotive
推奨
OPN
IAUCN08S7N019ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Single SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Single SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
Infineon introduces another MOSFET in our next, leading edge, power technology; OptiMOS™ 7 80V. This product is offered in our versatile, robust, high current SSO8 5x6mm2 SMD package. It is designed specifically for high performance, high quality and the robustness needed for demanding automotive applications.

機能

  • RDS(on) better than prior best
  • Leading edge FOM (RDS(on) x Qg)
  • Fast switching times (turn on/off)
  • Low package resistance and inductance
  • High avalanche current capability
  • High SOA ruggedness
  • Excellent thermal performance
  • Extended qualification beyond AEC-Q101
  • Enhanced electrical testing
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • PPAP Capable Device

利点

  • Very low conduction losses
  • Superior switching performance
  • Highest power density in 5x6mm package
  • High power efficiency
  • Small footprint & efficient cooling
  • Increased design ruggedness
  • Designed for Automotive robustness
  • High quality production for Automotive

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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