Active and preferred
RoHS準拠

IAUCN04S7N019D

40 V, N-Ch, 1.99 mΩ max, Automotive MOSFET, Dual SSO8 (5x6), OptiMOS™ 7
データシート
パッケージ

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IAUCN04S7N019D
IAUCN04S7N019D
データシート

Product details

  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) max
    60 A
  • QG (typ @10V)
    37 nC
  • QG (typ @10V) max
    48 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.99 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    2.6 V
  • パッケージ
    PG-TDSON-8
  • ファミリー
    Automotive MOSFET
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™-7
  • 極性
    N
  • 発売年
    2024
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUCN04S7N019DATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Dual SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応

機能

  • OptiMOS™ 7 40 V power MOSFET
  • N-channel-Enhancement mode-Normal Level
  • Extended qualification beyond AEC-Q101
  • Enhanced electrical testing
  • Robust design
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device

用途

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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