IAUC60N04S6L039
Active and preferred
RoHS対応

IAUC60N04S6L039

40 V, N-Ch, 3.9 mΩ max, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS™-6
データシート
パッケージ

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IAUC60N04S6L039
IAUC60N04S6L039
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Indonesia, Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Austria, Germany
  • Currently planned availability until at least
    2032
  • ID (@25°C) (最大)
    60 A
  • QG (typ @10V) (最大)
    20 nC
  • QG (typ @10V)
    15 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    3.9 mΩ
  • VDS (最大)
    40 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2 V
  • VGS(th)
    1.6 V
  • VGS 範囲
    1.2 V～2 V
  • パッケージ
    PG-TDSON-8
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 技術
    OptiMOS™6
  • 極性
    N
  • 発売年
    2019
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUC60N04S6L039ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Single SSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Single SSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
Introducing OptiMOS™ 6 40V MOS technology in a 5x6mm² SSO8 leadless package for robust automotive applications. The portfolio features 16 products (RDS(on) max from 0.8mΩ to 4.4mΩ), ideal for low- and high-power needs. The package offers best-in-class FOM (RDS(on) x Qg) and 120A continuous current ratings, >25% higher than standard DPAK, along with superior switching performance and EMI behavior (≈4x lower inductivity vs. traditional packages).

特長

  • OptiMOS™ power MOSFET
  • N-channel-Enhancement mode-Logic Level
  • AEC Q101 qualified
  • MSL1 up to 260°C peak reflow
  • 175°C operating temperature
  • Green Product (RoHS compliant)
  • 100% Avalanche tested
  • PPAP Capable Device
ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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