Active and preferred
RoHS準拠

IAUC120N06S5N011

60 V, N-Ch, 1.1 mΩ max, Normal Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS™-5
データシート
パッケージ
EA.
在庫あり

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IAUC120N06S5N011
IAUC120N06S5N011
EA.
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Germany
  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) max
    120 A
  • ID max
    1000 A
  • QG (typ @10V)
    105 nC
  • QG (typ @10V) max
    137 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.12 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 動作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技術
    OptiMOS™5
  • 極性
    N
  • 発売年
    2022
  • 認定
    Automotive
推奨
OPN
IAUC120N06S5N011ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Single SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS準拠 Yes
Infineon stock last updated:
 EA. 在庫あり

製品ステータス
Active
インフィニオンパッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Single SSO8
包装サイズ 5000
包装形態 TAPE & REEL
水分レベル 1
モイスチャーパッキン NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS対応
EA.
在庫あり
The new OptiMOS™ 5 technology for 60V MOSFETs in the industry standard Single SSO8 (5x6 mm²) small footprint package with leading performance providing low RDS(on), Qg and Gate capacitance and minimizing conduction and switching losses.

機能

  • Extended qualification beyond AEC-Q101
  • Excellent thermal performance
  • Low gate charge and Qrr
  • 20% higher current capability
  • PPAP Capable Device

ドキュメント

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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