IAUC120N06S5L015
Active and preferred
RoHS対応

IAUC120N06S5L015

60 V, N-Ch, 1.5 mΩ max, Logic Level, Automotive MOSFET, SSO8 (5x6), OptiMOS™-5
データシート
パッケージ

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IAUC120N06S5L015
IAUC120N06S5L015
データシート

製品仕様情報

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Germany
  • Currently planned availability until at least
    2038
  • ID (@25°C) (最大)
    120 A
  • QG (typ @10V) (最大)
    114 nC
  • QG (typ @10V)
    88 nC
  • RDS (on) (@10V) (最大)
    1.5 mΩ
  • VDS (最大)
    60 V
  • VGS(th) 範囲
    1.2 V～2.2 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • トポロジー
    Others
  • ファミリー
    MOSFET
  • ボードタイプ
    Virtual Design
  • 入力タイプ
    DC
  • 出力電圧 (最大)
    60 V
  • 動作温度 範囲
    -55 °C～175 °C
  • 対象アプリケーション
    Automotive
  • 技術
    OptiMOS™5
  • 極性
    N
  • 発売年
    2022
  • 認定
    Automotive
  • 電源電圧 (最小)
    60 V
推奨
OPN
IAUC120N06S5L015ATMA1
製品ステータス active and preferred
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Single SSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー No
ハロゲンフリー Yes
RoHS対応 Yes
Infineon stock last updated:

製品ステータス
Active
インフィニオン パッケージ
PG-TDSON-8
パッケージ名 Single SSO8
梱包サイズ 5000
梱包形態 TAPE & REEL
MSL (湿度感受性レベル) 1
防湿梱包 NON DRY
鉛フリー
ハロゲンフリー
RoHS準拠
The new OptiMOS™ 5 technology for 60V MOSFETs in the industry standard Single SSO8 (5x6 mm²) small footprint package with leading performance providing low RDS(on), Qg and Gate capacitance and minimizing conduction and switching losses

特長

  • Extended qualification beyond AEC-Q101
  • Excellent thermal performance
  • Low gate charge and Qrr
  • 20% higher current capability
  • PPAP Capable Device

アプリケーション

ドキュメント

デザイン リソース

パートナー ソリューション

開発者コミュニティ

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